მზის პანელი არის ერთ-ერთი ყველაზე მნიშვნელოვანი კომპონენტი მზის ენერგიის წარმოების სისტემაში.მისი ფუნქციაა მზის ენერგიის ელექტროენერგიად გარდაქმნა და შემდეგ DC ელექტროენერგიის გამოშვება ბატარეაში შესანახად.მისი კონვერტაციის სიჩქარე და მომსახურების ვადა მნიშვნელოვანი ფაქტორებია იმის დასადგენად, აქვს თუ არა მზის ელემენტს გამოყენების ღირებულება.
მზის ბატარეები შეფუთულია მაღალი ეფექტურობის (21%-ზე მეტი) მონოკრისტალური სილიკონის მზის უჯრედებით, მზის პანელების მიერ გამომუშავებული საკმარისი ენერგიის უზრუნველსაყოფად.მინა დამზადებულია დაბალი რკინით გამაგრებული ზამშის შუშისგან (ასევე ცნობილი როგორც თეთრი მინა), რომელსაც აქვს 91%-ზე მეტი გამტარობა მზის უჯრედების სპექტრული რეაგირების ტალღის სიგრძის დიაპაზონში და აქვს მაღალი არეკვლა ინფრაწითელ შუქზე 1200 ნმ-ზე მეტი.ამავდროულად, შუშას შეუძლია გაუძლოს მზის ულტრაიისფერი გამოსხივებას გამტარობის შემცირების გარეშე.EVA იღებს მაღალი ხარისხის EVA ფილას 0,78 მმ სისქით, რომელსაც ემატება ანტი ულტრაიისფერი აგენტი, ანტიოქსიდანტი და გამწმენდი, როგორც მზის უჯრედების დალუქვა და დამაკავშირებელი აგენტი მინასა და TPT-ს შორის, რომელსაც აქვს მაღალი გამტარიანობა და დაბერების საწინააღმდეგო უნარი.
TPT მზის ელემენტის უკანა საფარი - ფტორპლასტიკური ფირი თეთრია, რომელიც ასახავს მზის შუქს, ამიტომ მოდულის ეფექტურობა ოდნავ გაუმჯობესებულია.მისი მაღალი ინფრაწითელი გამოსხივების გამო, მას ასევე შეუძლია შეამციროს მოდულის სამუშაო ტემპერატურა და ასევე ხელს უწყობს მოდულის ეფექტურობის გაუმჯობესებას.ჩარჩოსთვის გამოყენებული ალუმინის შენადნობის ჩარჩოს აქვს მაღალი სიმტკიცე და ძლიერი მექანიკური ზემოქმედების წინააღმდეგობა.ის ასევე არის მზის ენერგიის წარმოების სისტემის ყველაზე ღირებული ნაწილი.მისი ფუნქციაა მზის გამოსხივების სიმძლავრის ელექტროენერგიად გადაქცევა ან შესანახად შესანახ ბატარეაში გაგზავნა, ან დატვირთვის მუშაობის ხელშეწყობა.
მზის პანელის მუშაობის პრინციპი
მზის პანელი არის ნახევარგამტარული მოწყობილობა, რომელსაც შეუძლია პირდაპირ გარდაქმნას სინათლის ენერგია ელექტრო ენერგიად.მისი ძირითადი სტრუქტურა შედგება ნახევარგამტარული PN შეერთებისგან.ყველაზე გავრცელებული სილიკონის PN მზის ელემენტის მაგალითის გათვალისწინებით, სინათლის ენერგიის ელექტრო ენერგიად გარდაქმნა დეტალურად არის განხილული.
როგორც ყველამ ვიცით, ობიექტებს, რომლებსაც აქვთ დიდი რაოდენობით თავისუფლად მოძრავი დამუხტული ნაწილაკები და ადვილად ატარებენ დენს, ეწოდება გამტარები.ზოგადად, ლითონები გამტარები არიან.მაგალითად, სპილენძის გამტარობა არის დაახლოებით 106/(Ω. სმ).თუ 1V ძაბვა დაყენებულია 1cm x 1cm x 1cm სპილენძის კუბის ორ შესაბამის ზედაპირზე, ორ ზედაპირს შორის დენი 106A მოედინება.მეორე ბოლოში არის ობიექტები, რომლებიც ძალიან ძნელად ატარებენ დენს, რომელსაც უწოდებენ იზოლატორებს, როგორიცაა კერამიკა, მიკა, ცხიმი, რეზინი და ა.შ. მაგალითად, კვარცის (SiO2) გამტარობა არის დაახლოებით 10-16/(Ω. სმ) .ნახევარგამტარს აქვს გამტარობა გამტარსა და იზოლატორს შორის.მისი გამტარობა არის 10-4~104/(Ω. სმ).ნახევარგამტარს შეუძლია შეცვალოს მისი გამტარობა ზემოთ მოცემულ დიაპაზონში მცირე რაოდენობის მინარევების დამატებით.საკმარისად სუფთა ნახევარგამტარის გამტარობა მკვეთრად გაიზრდება ტემპერატურის მატებასთან ერთად.
ნახევარგამტარები შეიძლება იყოს ელემენტები, როგორიცაა სილიციუმი (Si), გერმანიუმი (Ge), სელენი (Se) და ა.შ.ის ასევე შეიძლება იყოს ნაერთი, როგორიცაა კადმიუმის სულფიდი (Cds), გალიუმის არსენიდი (GaAs) და ა.შ.ის ასევე შეიძლება იყოს შენადნობი, როგორიცაა Ga, AL1~XAs, სადაც x არის ნებისმიერი რიცხვი 0-დან 1-მდე. ნახევარგამტარების ბევრი ელექტრული თვისება შეიძლება აიხსნას მარტივი მოდელით.სილიციუმის ატომური რიცხვია 14, ამიტომ ატომის ბირთვის გარეთ 14 ელექტრონია.მათ შორის, შიდა შრის 10 ელექტრონი მჭიდროდ არის შეკრული ატომის ბირთვით, ხოლო გარე შრეში 4 ელექტრონი ნაკლებადაა შეკრული ატომის ბირთვით.თუ საკმარისი ენერგია მიიღება, ის შეიძლება გამოეყოს ატომის ბირთვს და გახდეს თავისუფალი ელექტრონები, და ამავე დროს დატოვოს ხვრელი თავდაპირველ მდგომარეობაში.ელექტრონები უარყოფითად დამუხტულია, ხვრელები კი დადებითად.სილიციუმის ბირთვის გარე შრის ოთხ ელექტრონს ასევე უწოდებენ ვალენტურ ელექტრონებს.
სილიციუმის კრისტალში არის ოთხი მიმდებარე ატომები თითოეული ატომის გარშემო და ორი ვალენტური ელექტრონი თითოეულ მიმდებარე ატომთან, რომლებიც ქმნიან სტაბილურ 8 ატომიან გარსს.სილიციუმის ატომიდან ელექტრონის გამოყოფას სჭირდება 1,12 ევ ენერგია, რასაც სილიკონის ზოლის უფსკრული ეწოდება.გამოყოფილი ელექტრონები არის თავისუფალი გამტარობის ელექტრონები, რომლებსაც შეუძლიათ თავისუფლად გადაადგილება და დენის გადაცემა.როდესაც ელექტრონი გამოდის ატომიდან, ის ტოვებს ვაკანსიას, რომელსაც ხვრელი ეწოდება.მეზობელი ატომების ელექტრონებს შეუძლიათ შეავსონ ხვრელი, რის გამოც ხვრელი გადაინაცვლებს ერთი პოზიციიდან ახალზე, რითაც წარმოიქმნება დენი.ელექტრონების ნაკადით წარმოქმნილი დენი უდრის იმ დენის წარმოქმნას, როდესაც დადებითად დამუხტული ხვრელი მოძრაობს საპირისპირო მიმართულებით.
გამოქვეყნების დრო: ივნ-03-2019